日本のフォトレジストのためのフィルム形成樹脂市場規模と動向

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日本のフォトレジストのためのフィルム形成樹脂市場を動かしているのは何でしょうか。本記事では、国内需要を押し上げている要因と、市場を構成する製品タイプ・用途を整理します。

需要を押し上げている要因

日本におけるフォトレジスト用フィルム形成樹脂の需要拡大は、先端半導体の微細化競争と、それに伴う製造プロセスの高度化が主な原動力となっています。特に、EUVリソグラフィの実用化が進む中で、従来の樹脂では達成できない高い解像度と低アウトガス性能が求められ、新たな高分子設計が必要とされています。需要の中心はロジック半導体や3D NAND型フラッシュメモリを手掛ける大手デバイスメーカーであり、特に最先端ノード向けの製造ラインで樹脂のスペックが厳格化しています。コスト面では、原材料価格の高騰や円安による輸入原料のコスト増に加え、環境規制の強化により、製造工程での溶剤使用量削減や廃液処理負荷の低減が企業の重要な経営課題となっています。このため、従来の溶剤現像型から水現像可能な樹脂や、環境負荷の低い新規モノマーを採用した樹脂へのシフトが進んでおり、樹脂の選定基準は感光特性だけでなく、サステナビリティ対応を含めた総合的な評価に変化しています。

製品タイプ別の内訳

EUVポリマー
ARFポリマー
KRFポリマー
G/Iラインポリマー

タイプごとの特徴

EUVポリマーは最先端の半導体製造プロセス、特に7ナノメートル以下の微細な回路パターンを形成するための極端紫外線リソグラフィーに使用されます。これらのポリマーは高い感度とエッチング耐性が求められ、主に金属酸化物系や化学増幅型の材料が開発されています。ArFポリマーは193ナノメートルのアルゴンフッ素エキシマレーザー光を用いたリソグラフィーに適しており、微細加工が要求されるロジックやDRAMメモリなどの先端デバイスの製造に不可欠です。一方、KrFポリマーは248ナノメートルの露光波長に対応し、ArFよりやや古い技術ですが、安定したパターン形成が可能で、特にフラッシュメモリや比較的微細度の低いロジックICなどで広く用いられています。g/i線ポリマーは水銀ランプの輝線である436ナノメートルまたは365ナノメートルの波長に対応する最も古典的な材料で、コスト効率が重視されるパワーデバイス、センサー、LEDといった幅広い用途で今でも利用されています。

用途別の内訳

ロジックIC
メモリIC
アナログIC
その他

市場に関わる主要企業

Shin-Etsu Chemical
DuPont
FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation
TOHO Chemical
Mitsubishi Chemical
Maruzen Petrochemical
Daicel Corporation
Fujifilm
Sumitomo Bakelite
NIPPON STEEL Chemical & Material
Nippon Soda
Miwon Commercial Co., Ltd.
Dow
CGP Materials
ENF Technology
NC Chem
Xuzhou B & C Chemical
Red Avenue
Changzhou Tronly New Electronic Materials
Jinan Shengquan Group
Suzhou Weimas
Beijing Bayi Space LCD Technology
Xi' an Manareco New Materials

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